特許
J-GLOBAL ID：200903090500298230
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-193300
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050347
出願日： 1993年08月04日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】浮遊ゲート電極とゲート絶縁膜の界面における酸化を防止して、不揮発性半導体記憶装置の書換耐性を向上させる。【構成】多結晶シリコン膜からなる浮遊ゲート電極とゲート絶縁膜である酸化シリコン膜の間に耐酸化性膜を介在させる。【効果】浮遊ゲート電極端部における多結晶シリコン膜の酸化を抑制し、多結晶シリコン膜とゲート絶縁膜の界面の平坦性を良好に保って、書換え耐性が向上する。
請求項（抜粋）：
第1導電型を有する半導体基板の表面領域内に、所定の間隔を介して互いに対向して形成された、上記第1導電型とは逆の第2導電型を有するソースおよびドレイン領域と、当該ソースおよびドレイン領域の間の上記半導体基板の主表面上に、ゲート絶縁膜を介して設けられた浮遊ゲート電極と、当該浮遊ゲート電極上に層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲート電極と、上記浮遊ゲート電極、上記層間絶縁膜および上記制御ゲート電極の側部上に形成された側壁絶縁膜を具備した電気的に書換え可能な不揮発性半導体記憶装置において、上記ゲート絶縁膜と上記浮遊ゲート電極の界面の少なくとも端部には、膜厚が1.5nm以上3.5nm以下の耐酸化性膜が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
