特許

J-GLOBAL ID：200903090506972692

メッキ方法

発明者： 古屋 明彦 ,  王 増林 ,  安田 敬一郎 ,  新宮原 正三 ,  池田 秀雄 ,  馬場 知幸 ,  萩原 宗明
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  凸版印刷株式会社 ,  株式会社 野田市電子 ,  緒方工業株式会社 ,  株式会社熊防メタル
代理人 (1件)： 眞鍋 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-051603
公開番号（公開出願番号）：特開2002-256443
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：

【要約】【課題】 メッキ方法に関し、高周波伝送における伝送損失の低減と、ポリイミド樹脂層と導電性皮膜との間の密着性の向上とを両立する。【解決手段】 ポリイミド樹脂層1の表面を粗面化処理したのち、アルカリ溶液によってイミド環を開環させてポリイミド樹脂層1の表面にカルボキシル基を導入し、次いで、金属イオン含有溶液によってカルボキシル基を処理して、カルボキシル基に金属イオンを吸着させたのち、金属イオンを還元してポリイミド樹脂層1の表面に金属2を析出させ、これを自己触媒としてポリイミド樹脂層1上に無電解メッキ層を形成する。

請求項（抜粋）：

ポリイミド樹脂層の表面を粗面化処理したのち、アルカリ溶液によってイミド環を開環させて前記ポリイミド樹脂層の表面にカルボキシル基を導入し、次いで、金属イオン含有溶液によってカルボキシル基を処理して、カルボキシル基に金属イオンを吸着させたのち、前記金属イオンを還元して前記ポリイミド樹脂層の表面に金属を析出させ、前記析出した金属を自己触媒として前記ポリイミド樹脂層上に無電解メッキ層を形成することを特徴とするメッキ方法。

IPC (9件)：

C23C 18/24 ,  C23C 18/16 ,  C23C 18/31 ,  C23C 18/38 ,  C23C 28/00 ,  C25D 5/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/38

FI (10件)：

C23C 18/24 ,  C23C 18/16 A ,  C23C 18/31 A ,  C23C 18/38 ,  C23C 28/00 A ,  C25D 5/56 B ,  C25D 5/56 A ,  H01L 21/60 311 W ,  H05K 3/18 B ,  H05K 3/38 A

Fターム (45件)：

4K022AA15 ,  4K022AA32 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022BA31 ,  4K022CA02 ,  4K022CA06 ,  4K022CA19 ,  4K022DA03 ,  4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024BA14 ,  4K024BB09 ,  4K024BC01 ,  4K024CA01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA06 ,  4K024DA08 ,  4K044AA16 ,  4K044AB02 ,  4K044BA06 ,  4K044BB02 ,  4K044BC05 ,  4K044CA15 ,  4K044CA18 ,  5E343AA02 ,  5E343AA18 ,  5E343AA36 ,  5E343AA39 ,  5E343BB16 ,  5E343BB24 ,  5E343BB71 ,  5E343CC32 ,  5E343CC44 ,  5E343CC74 ,  5E343DD34 ,  5E343DD43 ,  5E343EE02 ,  5E343EE12 ,  5E343EE32 ,  5E343GG01 ,  5E343GG13 ,  5F044MM06 ,  5F044MM23 ,  5F044MM48

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 導体パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-200050   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-231474
  
• 電子部品の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-041887   出願人：株式会社村田製作所