特許

J-GLOBAL ID：200903090507952261

半導体材料およびその製造方法

発明者： 中原 康雄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-086829
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286470
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 従来、半導体素子の性能指数Zの向上のために、熱電変換用の半導体材料の結晶性を制御する試みがなされてきているが、いまだ十分な性能指数Zを得ることができていない。そこで本発明は、従来技術よりも性能指数Zの向上した半導体材料およびその製造方法の提供を課題とする。【解決手段】 所望割合の元素組成を有する材料をアモルファス化し、これを加圧成形して帯状物1にし、帯状物1を、材料の結晶化温度以上ないし融点近傍温度に加熱された一対の加熱金属ロール2,2'に送り込み、材料を多結晶化し、半導体材料を得た。この半導体材料は、例えば熱電材料として有効に利用できる。

請求項（抜粋）：

所望割合の元素組成を有するアモルファス状態の材料を多結晶化して得られた半導体材料。

IPC (8件)：

H01L 35/34 ,  H01L 21/20 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/18 ,  C22F 1/00 692 ,  C22F 1/00 694 ,  C22F 3/00

FI (8件)：

H01L 35/34 ,  H01L 21/20 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/18 ,  C22F 1/00 692 A ,  C22F 1/00 694 B ,  C22F 3/00

Fターム (12件)：

5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA24 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052DA10 ,  5F052DB01 ,  5F052DB04 ,  5F052DB07 ,  5F052DB10 ,  5F052FA05 ,  5F052JA10