特許

J-GLOBAL ID：200903090511535012

化合物半導体の接合方法

発明者： 角野 雅芳
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-161510
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012506
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 高精度に化合物半導体表面の原子被覆状態と面内結晶方位を制御し、強固に化合物半導体同士を接合する方法を提供する。【解決手段】 基板上に化合物半導体層を成長させて作製した2つのウエハを化合物半導体表面同士で接合させる際に、これら2つのウエハの接合すべき表面の化学量論的組成を独立且つ意図的に制御して、例えば、ZnSe半導体層の接合では1原子層のZn原子で覆われたZn安定化面43と1原子層のSe原子で覆われたSe安定化面42を形成し、それらの表面を機械的に接触させて2つのウエハを貼り合わせる。

請求項（抜粋）：

基板上に化合物半導体層を成長させて作製した2つのウエハを化合物半導体表面同士で接合させる際に、これら2つのウエハの接合すべき表面の化学量論的組成を独立かつ意図的に制御して、機械的に接触させることにより2つのウエハを貼り合わせることを特徴とする化合物半導体の接合方法。