特許

J-GLOBAL ID：200903090514490664

コンデンサ構造の保護のための絶縁性と導電性の障壁の使用

発明者： スコット アール、サマーフェルト ,  スチーブン アール、ギルバート ,  ルイジ コロンボ ,  セオドアー エス、モイズ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-389336
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210798
出願日： 2000年12月21日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 水素や汚染で劣化しない半導体デバイスのコンデンサ構造を提供する。【解決手段】 コンデンサ構造(図1の125)は側面と上表面とをそなえた下電極(図1の124)と、上表面と側面とをそなえ、前記下電極の前記上表面の上に配置されたコンデンサ誘電体であって、水素により劣化する電気的特性をそなえるコンデンサ誘電体(図1の126)と、上表面と側面とをそなえ、前記コンデンサ誘電体の上に配置された上電極(図1の128および130)と、前記コンデンサ誘電体の前記側面の上に配置された窒化シリコン層(図1の120)と、前記コンデンサ誘電体の前記側面と前記窒化シリコン層との間に配置された酸化アルミニウム層(図1の118)とを含む。

請求項（抜粋）：

コンデンサ構造であって、側面と上表面とをそなえた下電極と、上表面と側面とをそなえ、前記下電極の前記上表面の上に配置されたコンデンサ誘電体であって、水素により劣化する電気的特性をそなえるコンデンサ誘電体と、上表面と側面とをそなえ、前記コンデンサ誘電体の上に配置された上電極と、前記コンデンサ誘電体の前記側面の上に配置された窒化シリコン層と、前記コンデンサ誘電体の前記側面と前記窒化シリコン層との間に配置された酸化アルミニウム層とを具備するコンデンサ構造。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651