特許
J-GLOBAL ID:200903090521424910
レジストの剥離方法及び半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
逢坂 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-324628
公開番号(公開出願番号):特開2004-157424
出願日: 2002年11月08日
公開日(公表日): 2004年06月03日
要約:
【課題】表面硬化層を有するレジストを短時間で容易に、しかも他の層に損傷を与えたり、塵埃を生じることなしに除去する方法を提供すること。【解決手段】レジスト3の表面上に超短パルスレーザー光20を照射して、表面硬化層9の少なくとも一部をアブレーションで除去するか、或いは、表面硬化層9の上方に超短パルスレーザー光20を入射して集光することにより雰囲気を絶縁破壊し、生じた衝撃波により表面硬化層9にクラック21を生じさせ、更にこれによって露出したレジスト9をアッシング又は超臨界流体中のレジスト剥離液で除去する、レジストの剥離方法と、これを用いた半導体装置の製造方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
表面硬化層のあるレジストを剥離する方法において、
前記レジストの表面上にレーザー光を照射して、前記表面硬化層の少なくとも一部をアブレーションで除去する工程と、
露出した前記レジストを除去する工程と
を有することを特徴とする、レジストの剥離方法。
IPC (3件):
G03F7/42
, H01L21/027
, H01L21/302
FI (3件):
G03F7/42
, H01L21/302 201B
, H01L21/30 572A
Fターム (14件):
2H096AA25
, 2H096LA01
, 2H096LA03
, 5F004BA20
, 5F004BB03
, 5F004BD01
, 5F004DA26
, 5F004DA27
, 5F004DB26
, 5F004EA28
, 5F004FA02
, 5F046MA12
, 5F046MA17
, 5F046MA19
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