特許

J-GLOBAL ID：200903090524322816

誘電体膜の成膜方法

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-273838
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115898
出願日： 1995年10月23日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 基板を加熱せずに化学的気相成長法によってポリパラキシリレンを成膜する従来の技術では、成膜後のポリパラキシリレンに対して熱工程を行うと未反応材料から半導体装置製造にとって有害なガスが放出される。【解決手段】 基板1にポリパラキシリレンを主体とする誘電体膜を化学的気相成長法によって成膜する際に、基板1の温度を100°C以上300°C以下の温度範囲の所定温度に保持して、誘電体膜となるポリパラキシリレン膜16を成膜する。また、化学的気相成長法によって基板1にポリパラキシリレン膜16を成膜した後、その基板1を150°C以上300°C以下の温度範囲の所定温度でアニーリングする。

請求項（抜粋）：

基板にポリパラキシリレンを主体とする誘電体膜を化学的気相成長法によって成膜する誘電体膜の成膜方法において、前記化学的気相成長時の前記基板の温度を、100°C以上300°C以下の温度範囲の所定温度に保つことを特徴とする誘電体膜の成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/312 A ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 P