特許
J-GLOBAL ID：200903090527116877

二次電池の保護回路

発明者：
西脇 一貴

西脇 一貴 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-387731
公開番号（公開出願番号）：特開2003-189462
出願日： 2001年12月20日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 PchFET用の保護IC11とNchのFET7,8とを組み合わせてなる保護回路において、基板の小型化、保護回路の低コスト化、設計自由度の向上等を図る。【解決手段】 二次電池2の正極側とプラス端子3とをつなぐ正極側配線5の一部を、定抵抗配線5aによって形成する。定抵抗配線5aは、保護IC11が設けられた基板20と離れた位置に設けられている。保護IC11の過電流保護端子14を正極側配線5に接続し、GND端子19を二次電池2の負極側に接続する。保護IC11は定抵抗配線5aの両端電圧を監視し、両端電圧が所定値以上になると放電制御用FET7をOFFし、過電流を遮断する。
請求項（抜粋）：
少なくとも二次電池の過電流を防止する保護回路であって、一端が二次電池の正極に接続され且つ他端が正極側外部端子に接続された正極側配線と、一端が二次電池の負極に接続され且つ他端が負極側外部端子に接続された負極側配線と、前記負極側配線に設けられ、それぞれNチャネルのFETからなる充電制御用FET及び放電制御用FETと、二次電池が過充電状態になると過充電を阻止するように前記充電制御用FETを遮断状態にする一方、二次電池が過放電状態になると過放電を阻止するように前記放電制御用FETを遮断状態にするPチャネルFET駆動用の保護ICとを備え、前記正極側配線の少なくとも一部は、定抵抗配線によって形成され、前記保護ICは、前記定抵抗配線の電圧を監視するように構成され、前記電圧が所定値以上になると電流を遮断するように前記放電制御用FETまたは前記充電制御用FETを遮断状態にする二次電池の保護回路。
IPC (3件)：
H02H 7/18 ,  H01M 2/34 ,  H02J 7/00
FI (3件)：
H02H 7/18 ,  H01M 2/34 A ,  H02J 7/00 S
Fターム (14件)：
5G003AA01 ,  5G003BA01 ,  5G003FA04 ,  5G003GA01 ,  5G053AA01 ,  5G053AA09 ,  5G053BA01 ,  5G053BA04 ,  5G053CA02 ,  5G053EA06 ,  5G053EA09 ,  5G053EC03 ,  5H022AA00 ,  5H022KK01
引用特許：
審査官引用 (1件)
  • 二次電池の保護装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-165608   出願人：松下電器産業株式会社

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