特許
J-GLOBAL ID：200903090528098589
パワ-半導体モジュ-ルおよびそれを用いた電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015790
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216331
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 IGBT素子がケース19内に収納され、該IGBT素子と接続する主電極20、21の外部端子20a、21aが上記ケース19上面に配置されて外部配線導体24と接続されるIGBTモジュール18において、主電極20、21と外部配線導体24との接続部およびその周辺領域において、寄生インダクタンスの低減を図る。【解決手段】 主電極20、21を、外部端子20a、21a配置領域外でケース19上面と平行に対向する平板状の第1の部位20b、21bを有して構成し、第1の部位20b、21bと、これに平行に対向する外部配線導体24の領域とで流れる電流の向きが逆になるようにして、磁束を相殺させる。
請求項（抜粋）：
パワー半導体素子が筐体内に収納され、上記パワー半導体素子と接続する主電極と、上記筐体上面に配置された上記主電極の外部端子とを備え、上記筐体外部で該筐体上面に平行に配される平板状の外部配線導体に上記外部端子を介して接続されるパワー半導体モジュールにおいて、上記主電極が、上記外部端子配置領域外で上記筐体上面と平行に対向する平板状の第1の部位を上記筐体内に有することを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2件)：
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