特許
J-GLOBAL ID：200903090532456155
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-216617
公開番号（公開出願番号）：特開2000-047366
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 露光処理によって転写されるフォトレジストパターンのくびれに起因する断線不良発生率を低減する。【解決手段】 ドックボーンを有するフォトレジストパターン4を露光処理によって転写する際に、ドックボーンの近傍における相対的に幅の狭いパターンの幅方向両側に生じるくびれNT1,NT2が互いに離間する方向にずれるようにしたものである。
請求項（抜粋）：
露光光源から放射された露光光をフォトマスクを介して半導体基板上のフォトレジスト膜に照射することで所定のフォトレジストパターンを転写する半導体装置の製造方法であって、前記フォトマスクは、(a)前記所定のフォトレジストパターンを転写するための実パターンであって、相対的に幅の狭い第1パターン部と、(b)前記実パターンであって前記第1パターン部に一体的に形成され相対的に幅の広い第2パターン部と、(c)前記第1パターン部に対応するフォトレジストパターンの幅方向両側に生じるくびれの位置が互いに離間する方向にずれるように、前記第1パターン部と第2パターン部とで形成される角部に配置された補助パターンとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 D
, H01L 21/30 502 P
