不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-316861
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169865
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】平坦化及び高集積化に優れ、安定したメモリ特性が得られ且つ配線の信頼性が向上した不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】半導体基板1に形成した凹部2内のチャネルの導通方向に、フローティングゲート4と、一部が絶縁膜5を介してフローティングゲート4上に形成され且つ他の一部がゲート絶縁膜3を介してチャネル上に形成されたコントロールゲート6を並設した。また、凹部2内のチャネルの導通方向に、フローティングゲート4及びコントロールゲート6からなる記憶部を複数並設した。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された凹部と、前記凹部を挟んで形成されたソース及びドレインと、フローティングゲートと、一部が絶縁膜を介して前記フローティングゲート上に形成され且つ他の一部が絶縁膜を介してチャネル上に形成されたコントロールゲートと、を備え、前記コントロールゲートの他の一部及びフローティングゲートを、前記凹部内のチャネルの導通方向に並設したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

前のページに戻る