特許
J-GLOBAL ID:200903090533636416

磁気スイッチング素子及びそれを用いた磁気センサと磁気記録再生装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-229702
公開番号(公開出願番号):特開平10-074308
出願日: 1996年08月30日
公開日(公表日): 1998年03月17日
要約:
【要約】【課題】高記録密度,高転送速度の磁気記録再生装置を得る。【解決手段】半導体基体上のトランジスタを直接に磁気抵抗効果膜で駆動する磁気センサ。
請求項(抜粋):
半導体基体上に形成されたトランジスタ或いはダイオードの半導体素子に信号を入力するエミッタ或いはゲート部に、磁界によって電気特性の変化する薄膜を有し、上記素子に印加される磁界によって応答の異なる特性を有することを特徴とする磁気スイッチング素子。
IPC (2件):
G11B 5/39 ,  G11B 5/09 301
FI (2件):
G11B 5/39 ,  G11B 5/09 301 Z

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