特許
J-GLOBAL ID：200903090536795698
表面電位センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-263360
公開番号（公開出願番号）：特開平8-122382
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】表面電位の測定に要する時間に関係なく安定した表面電位を検出することのできるとともに、測定に必要なS/N比の低下を防止することができる表面電位センサを提供すること。【構成】電気光学効果を有する材料11の電界による屈折率の変化を光によって検知することにより上記材料11に作用している表面電位を測定する表面電位センサ10において、上記電気光学効果を有する材料11をはさんで所定の面に誘電体反射膜12を設け、その面と対向する他の面に絶縁膜16を設け、さらに上記絶縁膜16の上面に透明導電膜13を設け、上記絶縁膜16は、反射防止膜によって構成されていることを特徴としている。これにより、電気光学効果を有する材料と透明導電膜との間でのキャリアの移動を阻止して、上記材料中での電界の中和傾向をなくし、かつ、材料中での反射プローブ光の反射を防止して表面電位に応じた光強度を測定できるようにすることができる。
請求項（抜粋）：
電気光学効果を有する材料の電界による屈折率の変化を光によって検知することにより上記材料に作用している表面電位を測定する表面電位センサにおいて、上記電気光学効果を有する材料をはさんで所定の面に誘電体反射膜を設け、その面と対向する他の面に絶縁膜を設け、さらに上記絶縁膜の上面に透明導電膜を設けたことを特徴とする表面電位センサ。
IPC (4件)：
G01R 29/12
, G01R 15/24
, G01R 19/00
, G01R 29/14
