特許
J-GLOBAL ID:200903090537147509

半導体回路パターンの設計方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮井 暎夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-258612
公開番号(公開出願番号):特開2001-085311
出願日: 1999年09月13日
公開日(公表日): 2001年03月30日
要約:
【要約】【課題】データ取得点数を増加させること無く、RSFによるラインパターンの仕上がり線幅CD特性の予測精度を改善する設計方法を提供する。【解決手段】リソグラフィ工程におけるラインパターンの仕上がり線幅寸法を、目標とする設計寸法に対して、該当するパターンの両側に隣接するスペース幅寸法及びリソグラフィ工程における露光条件とを入力変数とする応答曲面関数を用いて設計する。応答曲面関数の関数形を、入力変数の低次項で構成した関数が、線幅寸法特性の予測精度が許容範囲内でないとき、誤差入力変数の高次項を選択的に付加して構成する。入力変数の中の1つ以上の条件にばらつきを与えて前記応答関数に代入し、該当パターンの線幅寸法のばらつきを評価する。
請求項(抜粋):
リソグラフィ工程におけるラインパターンの仕上がり線幅寸法を、目標とする設計寸法に対して、該当するパターンの両側に隣接するスペース幅寸法及び前記リソグラフィ工程における露光条件を入力変数とする応答曲面関数を用いて設計する方法であって、前記応答曲面関数を、前記入力変数の低次項で構成する基底関数による仕上がり線幅寸法予測の誤差が許容範囲を外れる場合には、前記入力変数の高次項を選択的に付加して応答曲面関数を構成する工程と、前記入力変数の中の1つ以上の条件にばらつきを与えて前記応答関数に代入することにより、該当パターンの線幅寸法のばらつきを評価する工程とを含む半導体回路パターンの設計方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  H01L 21/82
FI (2件):
H01L 21/30 516 Z ,  H01L 21/82 W
Fターム (12件):
5F046AA25 ,  5F046AA28 ,  5F046BA03 ,  5F046CA04 ,  5F046CA08 ,  5F046DA11 ,  5F046DA30 ,  5F064EE01 ,  5F064HH09 ,  5F064HH10 ,  5F064HH13 ,  5F064HH20

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