特許
J-GLOBAL ID：200903090537630200
大表面積窒化ガリウム結晶の成長
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-504350
公開番号（公開出願番号）：特表2009-533303
出願日： 2007年04月06日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：
耐圧釜を用いて超臨界アンモニアの中で窒化ガリウム(GaN)結晶を成長する方法を開示する。大表面積のGaN結晶が作られるが、それはカルシウム、マグネシウム、またはバナジウム、または1%未満のインジウムを含み得る。
請求項（抜粋）：
超臨界アンモニアの中で少なくとも1つの窒化ガリウム(GaN)結晶を成長するための方法であって、
(a)容器の上側の領域に少なくとも1つのガリウム(Ga)を含む材料と、前記容器の下側の領域に少なくとも1つのGaN単結晶の種結晶と、前記容器に少なくとも1つの鉱化剤とを装填するステップであって、前記容器は鉛直方向に沿って最長寸法を有すると共に、前記容器を前記上側の領域と前記下側の領域とに分割する1つ以上の仕切り板を有することを特徴とする装填するステップと、
(b)前記容器にアンモニアを充填するステップと、
(c)鉛直方向に沿って最長寸法を有し、鉛直方向に垂直な断面の内径または対角寸法が5cmより大きい高圧容器内に前記容器を配置するステップと、
(d)前記高圧容器を密封するステップと、
(e)前記高圧容器を300°Cより高い温度に加熱するステップと、
(f)前記高圧容器を300°Cより高い前記温度に保持するステップと、
(g)前記高圧容器を冷却するステップと、
を備えたことを特徴とする方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 7/10
, C01B 21/06
C30B29/38 D
, C30B7/10
, C01B21/06 A
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CB04
, 4G077EA02
, 4G077EA04
, 4G077ED01
, 4G077EG02
, 4G077EG25
, 4G077HA12
, 4G077KA01
, 4G077KA03
, 4G077KA09
, 4G077KA12
出願人引用 (2件)
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米国特許第6,656,615号、2002年12月2日発行、発明者 Dwilinski他、発明の名称“Bulk monocrystalline gallium nitride”
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国際公開WO03/035945 A2、2003年5月1日発行、発明者 Dwilinski他、発明の名称“Substrate for epitaxy”
審査官引用 (2件)
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エピタキシャル成長用基板
公報種別：公表公報
出願番号：特願2003-538438
出願人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社
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窒化物結晶の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2005-066543
出願人：三菱化学株式会社, 株式会社東北テクノアーチ
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