特許

J-GLOBAL ID：200903090539143462

絶縁ゲート型電界効果半導体装置

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 加藤 恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-333725
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125088
出願日： 1984年05月18日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目 的】 オフ電流が少なく、かつオン、オフを高速応答で行うことができる絶縁ゲート型電界効果半導体装置を提供する。【構 成】 絶縁ゲート型電界効果トランジスタのチャネル形成領域は、水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導体よりなり、該非単結晶半導体に隣接するソ-スおよびドレインを構成する一対の不純物領域は、前記チャネル形成領域の半導体に比べて結晶化が助長され、かつ当該結晶化が助長されて設けられた領域は、前記ゲート電極下のチャネル形成領域の内部にわたって設けられたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁ゲート型電界効果トランジスタのチャネル形成領域は、水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導体よりなり、該非単結晶半導体に隣接するソ-スおよびドレインを構成する一対の不純物領域は、前記チャネル形成領域の半導体に比べて結晶化が助長されて設けられ、かつ当該結晶化が助長されて設けられた領域は、前記ゲート電極下のチャネル形成領域の内部にわたって設けられたことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-002073
  
• 特開昭58-127382
  
• 特開昭55-050663