特許

J-GLOBAL ID：200903090557385708

太陽電池及びその製造方法

発明者： 岡本 諭 ,  小松 雄爾 ,  西田 誠 ,  進藤 太介
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 藤本 博光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-193611
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041531
出願日： 1996年07月23日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 パッシベーション効果と裏面電界効果が改善されて、光電変換効率が改善された太陽電池を提供すること。【解決手段】 第1導電型の不純物が添加された半導体基板と、第2導電型の不純物が添加されて前記半導体基板の主面上に形成された半導体層とを含み、前記半導体基板と前記半導体層との接合領域に前記半導体層側から光を入射して光起電力を生じる太陽電池であって、前記半導体基板の主面とは反対側の裏面上に所定領域を開口して形成された酸化膜層と、前記酸化膜層が形成された前記半導体基板の裏面側に前記所定領域を通じて前記半導体基板と接続するように形成され、且つ前記第1導電型の不純物の濃度が前記半導体基板より高く添加された微結晶半導体層と、前記微結晶半導体層に積層して形成された裏面電極層とを含むと共に、前記酸化膜層と前記微結晶半導体層との間に前記所定領域を開口した金属層を設けた。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された太陽電池であって、少なくとも、前記半導体基板の裏面側に所定領域を開口して形成され、該半導体基板との界面における再結合中心を不活性化する第1の薄膜層と、前記第1の薄膜層を挟むように前記半導体基板の裏面側に形成され、前記所定領域において前記半導体基板側の少数キャリアを排斥すると共に多数キャリアを収集するように前記半導体基板との界面に電界を形成する第2の薄膜層と、前記第1の薄膜層と第2の薄膜層との層間に形成された金属層とを有することを特徴とする太陽電池。