特許

J-GLOBAL ID：200903090563246094

露光方法および光露光装置

発明者： 堀田 尚二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-174681
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022198
出願日： 1996年07月04日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 位相シフトマスクおよびフォトマスクを併用してもレジストパターンの寸法精度を大幅に向上させる。【解決手段】 石英板14の板厚を変え、球面収差量をザイデル収差係数で表して-0.025λ〜-0.045λとなるように設定する。それにより、位相シフトマスクを用いて形成した0.20μmパターンならびにフォトマスクにより形成した0.25μmパターンの両方の寸法ばらつきを同時に小さくでき、1台のエキシマレーザステッパ1によって位相シフトマスクならびにフォトマスクを併用してもいずれの寸法精度も大幅に向上させることができる。

請求項（抜粋）：

位相シフタが形成された位相シフトマスクおよび位相シフタが形成されていないフォトマスクを用いて設計パターンを半導体ウエハ上のレジストに露光する露光方法であって、結像からのずれの一種である球面収差量をザイデル収差係数における-0.025λ〜-0.045λに設定して露光を行うことを特徴とする露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (5件)：

H01L 21/30 516 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 515 B ,  H01L 21/30 528