特許
J-GLOBAL ID：200903090565875269
半導体レーザポンピング多重分子ガスレーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-293281
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224500
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 どんな電力レベルに対しても容易に適応できる小型のガスレーザを提供する。【構成】 半導体レーザ20からの光は光ファイバ26によって伝送され、コリメータレンズ34および集束レンズ38を介してガスレーザキャビティ44に入射する。第1のガスと第2のガスとを収容したガスレーザキャビティ44はポンピング光をジグザグに伝搬する。ポンピング光は第1のガスの吸収帯域内の波長を有し、このような第1のガスのエネルギを第2のガスに伝達し、第2のガスを励起して第2のガスの波長でレイジングを行う。
請求項（抜粋）：
ポンピング波長を有するポンピング光を放出する複数の半導体レーザと、吸収周波数帯域を有する第1の分子ガスと、予め定められたレイジング波長を有する第2の分子ガスと、前記複数の半導体レーザから放出される前記ポンピング光の光路に配置され、前記第1および第2の分子ガスを収容し、前記ポンピング波長の光を受け、前記第2のガスに相当するレイジング波長を有する出力レーザ光を放出するガスレーザキャビティ手段とを備え、前記半導体レーザの前記ポンピング波長は、前記第1のガスの前記吸収周波数帯域内の波長であって、かつ基底状態から励起状態まで前記第1のガスをポンピングできる波長であり、前記ポンピング光は比較的一様に前記ガスレーザキャビティ手段に入射して実質的に均質な励起媒質を生成し、前記ポンピング光の光路長は前記第1のガスに前記ポンピング光を吸収させ得る十分な光路長であり、前記第1のガスは、前記第2のガスの第2のエネルギ準位に近い値の第1のエネルギ準位までポンピングされ、前記第1のガスの前記第1のエネルギ準位を前記第2のガスの前記第2のエネルギ準位まで遷移させ、前記第2のガスを励起してそのレイジングを可能にする半導体レーザポンピング多重分子ガスレーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/094 G
, H01S 3/094 S
