特許
J-GLOBAL ID：200903090566689663
電界吸収型光変調器付き半導体レーザ及びその駆動回路並びに半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-321102
公開番号（公開出願番号）：特開2002-131714
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：
【要約】【課題】従来の電界吸収型光変調器付き半導体レーザでは、チャープを抑圧するには高い電圧や応答速度が不十分である。【解決手段】チャープ抑圧用の別なる電界吸収型光変調器部2bを従来の電界吸収型光変調器付き半導体レーザ(1,2a)に追加することによって、高速変調時であってもチャープ(光周波数の変動)を低減することができる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザと、前記半導体レーザの出力光を電界光吸収効果によって強度変調する第1の電界吸収型光変調器と、前記第1の電界吸収型光変調器によって前記第1の電界吸収型光変調器の出力光が受けた周波数チャーピングを抑制するための第2の電界吸収型光変調器を備えることを特徴とする電界吸収型光変調器付き半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079DA16
, 2H079EA07
, 2H079EB04
, 2H079FA02
, 2H079HA11
, 2H079KA18
, 5F073AA64
, 5F073AB21
, 5F073GA24
