半導体集積回路装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-173030
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037145
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 0.3μm 世代以降の半導体集積回路装置において、低抵抗で微細な配線層を形成する。【構成】コンタクトホール12が形成された半導体基板1上にタングステン膜13を堆積した後、タングステン膜13の表面を酸化して酸化タングステン膜14を形成する。次に、半導体基板1上にフォトレジスト15を塗布し、これをパターニングする。この際、酸化タングステン膜14は露光光の反射を弱くできるので、フォトレジストのハレーションや定在波効果が低減でき、設計に従った微細で鮮明なフォトレジスト像が形成できる。次に、フォトレジスト15をマスクにして、酸化タングステン膜14およびタングステン膜13を加工して、配線層を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に堆積した金属膜の表面を改質して低反射膜化した後、低反射膜上に形成したフォトレジストをマスクにして前記金属膜をパターニングする工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/3213

FI (2件)：

H01L 21/30 574 , H01L 21/88 C

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