特許

J-GLOBAL ID：200903090568832498

回折格子の製造方法

発明者： 斉藤 弘之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-218476
公開番号（公開出願番号）：特開平6-043312
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 微細な回折格子を高精度に、かつ再現性よく作製することを可能とする製造方法を提供する。【構成】 GaAs基板1上にSiN膜2を形成し、周期ΛのレジストパターンをマスクとしてSiN膜2をエッチングし、次にそのSiN膜2をマスクとして第1の溝4を形成する。その溝4をSiO2 膜2で覆い、SiN膜2を除去した後、SiO2 膜5をマスクとしてエッチングを行い、第2の溝6を形成する。SiO2 膜5を除去すると第1,第2の溝4,6が連続して形成された周期Λ/2の微細な回折格子が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に、基板と性質の異なる第1の材料からなる膜を形成する工程と、該膜上にレジストを塗布し、該レジストを露光,現像し、所定の周期で開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとして上記第1の膜をエッチング加工する工程と、該加工された第1の膜をマスクとして上記基板をエッチングし第1の溝を形成する工程と、上記基板の材料,および上記第1の材料と性質の異なる第2の材料からなる,上記第1の溝を被う覆いを形成する工程と、上記第1の膜を除去する工程と、上記第1の溝を被う上記第2の材料からなる覆いをマスクとして上記基板をエッチングし第2の溝を形成する工程と、上記第2の材料による覆いを除去する工程とを含むことを特徴とする回折格子の製造方法。

IPC (3件)：

G02B 5/18 ,  G03F 7/20 ,  G03F 7/26