特許

J-GLOBAL ID：200903090569982442

気相薄膜成長方法およびこれに用いる気相薄膜成長装置

発明者： 太田 豊 ,  荒井 剛
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-249223
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068215
出願日： 1998年08月18日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 気相薄膜成長装置を用いた成膜における基板直径方向の周期的な膜厚変動を改善する。【解決手段】 半導体基板Wを載置する回転式のサセプタ4に対して一列に配列された原料ガス導入孔2a〜2dから、矢印A,B,C,Dのごとく原料ガスおよびキャリアガスを半導体基板Wの主面に平行に導入する。半導体基板Wの主面上において、原料ガス濃度は原料ガス導入孔2a〜2dの開口中央の延長線上で最大となるが、これらの原料ガス導入口2a〜2dの仮想中心軸X2が半導体基板Wの仮想中心軸X1からシフト量Sだけずれていることにより、半導体基板Wの回転に伴い、該基板上のある地点が曝される原料ガスの濃度が効率よく平均化される。この結果、膜厚均一性の高い薄膜が形成される。

請求項（抜粋）：

反応容器内に設置された回転式のサセプタ上に保持された被成膜基板の主面に対して平行かつ一方向に複数の原料ガス導入口から原料ガスを導入しながら、前記被成膜基板上に薄膜を成長させる気相薄膜成長方法であって、前記原料ガス導入口の配列を、前記原料ガスの導入方向に沿った前記被成膜基板の仮想中心軸に対して非対称に設定し、該被成膜基板を回転させながら前記薄膜を成長させることを特徴とする気相薄膜成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/68 N

Fターム (27件)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077DB04 ,  4G077ED06 ,  4G077EG14 ,  4G077EG22 ,  4G077HA12 ,  4G077TG04 ,  4G077TH06 ,  4G077TH11 ,  5F031DA13 ,  5F031HA59 ,  5F031MA28 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EC07 ,  5F045EE04 ,  5F045EE12 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EF09