特許

J-GLOBAL ID：200903090571555918

白金族系金属膜の研磨方法と半導体記憶装置のセル形成方法

発明者： 川口 明実
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-332548
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164545
出願日： 1998年11月24日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 微細なパターン形成が可能で、しかも従来からある研磨用スラリーを用いてCMP法による平坦化を短時間で容易に行うことができる白金族系金属膜の研磨方法と半導体記憶装置のセル形成方法を得る。【解決手段】 白金族系金属膜の研磨箇所をハロゲン化してハロゲン化金属(または、硫化して硫化金属、酸化して酸化金属)とし、反応性の高い化合物に変換された白金族系金属膜を化学機械的研磨法により研磨する。

請求項（抜粋）：

被加工物に設けた白金族系金属膜の研磨箇所を反応性の高い化合物に変換し、化学機械的研磨法により研磨することを特徴とする白金族系金属膜の研磨方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6件)：

H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 622 C ,  H01L 21/304 622 S ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (15件)：

5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F083AD24 ,  5F083AD49 ,  5F083GA09 ,  5F083GA21 ,  5F083GA28 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083MA05 ,  5F083MA18 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40