特許

J-GLOBAL ID：200903090572904932

薄膜ROM装置及びその製造方法

発明者： イアン ダグラス フレンチ
出願人/特許権者： エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-164775
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206396
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 基板上に形成された開回路セル及び閉回路セルのアレーを具える薄膜ROM 装置において種々の閉回路セルに特性の異なる種々の薄膜ダイオードを形成することにある。【構成】 基板10上に薄膜12,21,22,23,11の積層体を形成し、その半導体膜21,22,23の少なくとも一つを次の膜の堆積前に閉回路セル区域5,7,8のいくつかから除去してこれらセル区域内に、他のセル区域内の第1タイプの薄膜ダイオード(NIP) と異なる導通特性を有する第2タイプの薄膜ダイオード(MIM, MIN, MIP) を形成する。下側半導体膜23は下側電極膜11から選択エッチング処理により容易にエッチ除去することができ、このとき下側電極膜がエッチストッパとして作用する。プラズマエッチング中、発光を監視することにより上側半導体膜21又は22を下側半導体膜22又は23から除去することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された開回路セル及び閉回路セルのアレーを具え、各閉回路セルが薄膜ダイオードを具え、前記アレーが基板上に支持された薄膜積層体から形成され、該積層体が下側及び上側電極膜間に異なる導電型及び/又は導電率の下側及び上側半導体膜を少なくとも含んでいる薄膜ROM 装置において、閉回路セルのいくつかのみに上側及び下側半導体膜の両方の区域が存在し第1のタイプの薄膜ダイオードが形成され、且つ他の閉回路セルには前記半導体膜の少なくとも一つが存在せず、前記第1のタイプのダイオードと異なる導通特性を有する少なくとも第2のタイプの薄膜ダイオードが形成されていることを特徴とする薄膜ROM 装置。