半導体レーザ励起固体レーザ装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 鶴田準一 , 島田哲郎 , 倉地保幸 , 西山雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-314065
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128374
出願日： 2004年10月28日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】固体レーザの発振停止中でも、外部制御装置からレーザ発信制御部を制御することによりレーザ加工システムの消費電力を低減し、且つ半導体レーザの長寿命化を可能にする半導体レーザ励起固体レーザ装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ(2)により固体レーザ媒質(1)を励起することによってレーザ発振を行なう半導体レーザ励起固体レーザ装置(11)において、外部からの制御信号によって、前記半導体レーザの動作電流を、該半導体レーザの発振閾値(L-LD)以上の電流値で通電する状態と、前記半導体レーザの発振閾値未満の電流値で通電する状態とに切り替える駆動電流切替え手段(71)を備えた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体レーザにより固体レーザ媒質を励起することによってレーザ発振を行なう半導体レーザ励起固体レーザ装置において、外部からの制御信号によって、前記半導体レーザの駆動電流を、該半導体レーザの発振閾値以上の電流値で通電する状態と、前記半導体レーザの発振閾値未満の電流値で通電する状態とに切換える駆動電流切替え手段を備えたことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/094 , H01S 3/00

FI (2件)：

H01S3/094 , H01S3/00 B

Fターム (7件)：

5F172AL01 , 5F172EE13 , 5F172NN22 , 5F172NP03 , 5F172NQ07 , 5F172ZA04 , 5F172ZZ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体励起固体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-126104 出願人：三菱電機株式会社

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