特許

J-GLOBAL ID：200903090588749015

表面マイクロマシン

発明者： 峠 宗志
出願人/特許権者： アイシン精機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-365799
公開番号（公開出願番号）：特開2000-186933
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】 基板表面のリークによる性能劣化を防止する。【解決手段】 基板1と、基板上に不純物をイオン注入して拡散形成されたn層またはp層から成る配線10と、配線10を保護する酸化膜5と、酸化膜上に形成された窒化膜6と、配線10と電気的につながる配線接続部11と、ポリシリコンより成り配線接続部11上および窒化膜6上に形成された構造体とを有し、基板上において、酸化膜5と配設接続部11の間に窒化膜6が形成されるようにした。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に不純物をイオン注入して拡散形成されたn層またはp層から成る配線と、該配線を保護する酸化膜と、該酸化膜上に形成された窒化膜と、前記配線と電気的につながる配線接続部と、ポリシリコンより成り前記配線接続部上および前記窒化膜上に形成された構造体とを有する表面マイクロマシンにおいて、前記基板上において、前記酸化膜と前記配設接続部の間に前記窒化膜が形成されることを特徴とする表面マイクロマシン。

IPC (5件)：

G01C 19/56 ,  B62D 57/00 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/08 ,  H01L 29/84

FI (5件)：

G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/08 Z ,  H01L 29/84 Z ,  B62D 57/00 G

Fターム (22件)：

2F105BB04 ,  2F105BB12 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD05 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112BA08 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112CA34 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA07 ,  4M112DA10 ,  4M112DA11 ,  4M112DA12 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07