半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-279029
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093702
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】巨大な結晶粒または単結晶を歩留まりを低下させることなく形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板1上に、非晶質シリコン膜3を形成する工程と、非晶質シリコン膜3上に、上部4aのレーザの吸収量が側部4bのレーザの吸収量よりも小さくなるようなMoからなる吸収膜(導電膜)4を形成する工程と、その吸収膜4に連続発振型YAGレーザを照射することにより吸収膜4を発熱させ、その熱を利用して非晶質シリコン膜3を結晶化する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板上に非晶質膜を形成する工程と、前記基板上に、所定部分の電磁波の吸収量が前記所定部分以外の部分の電磁波の吸収量よりも小さくなるような導電膜を形成する工程と、前記導電膜に前記電磁波を照射することにより前記導電膜を発熱させ、その熱を利用して前記非晶質膜を結晶化する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

Fターム (37件)：

5F052AA02 , 5F052AA06 , 5F052AA11 , 5F052AA24 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB05 , 5F052BB06 , 5F052CA04 , 5F052CA07 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB04 , 5F052DB05 , 5F052DB06 , 5F052DB07 , 5F052EA02 , 5F052EA05 , 5F052FA04 , 5F052FA19 , 5F052FA22 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP11 , 5F110PP35

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭57-113217
特開昭57-113217
特開昭62-021209

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