特許
J-GLOBAL ID：200903090593045905
被処理基板の加熱方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松岡 宏四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-213265
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315236
出願日： 1986年11月13日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造工程で半導体基板上に塗布されたレジストの乾燥等のため従来はそれぞれ加熱温度の異なる複数の加熱器を必要としていたが1台の加熱器で済ますことを目的とする。【構成】 加熱器における、ホットプレート(1)と被処理半導体基板としてのウエハー(3)との間隙を可変にしうる構造としホットプレートの一定の温度のもとで間隙の距離を異ならせることによってウエハーを異なる飽和温度に保ちうるようにし、また間隙を異ならせることによってウエハーが一定の飽和温度に達するまでの時間を異ならせうるようにする。【効果】 半導体基板に複数種のレジストを多層に積層した場合加熱温度の異なる複数個の加熱器に順次載せ替える必要はなくなる。
請求項（抜粋）：
ホットプレートと被処理基板との間隙を可変にしうる構造を有する加熱器を用い、ホットプレートの一定の温度のもとで、間隙の距離を異ならせることによって被処理基板を異なる飽和温度に保つようにすることを特徴とする被処理基板の加熱方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, F26B 3/20
, F26B 23/00
