薄膜の製造方法および薄膜素子の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120510
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293471
出願日： 1995年04月21日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】危険なガスを用いることなく薄膜を製造することができ、しかもレーザービームなどの照射により薄膜を結晶化させる際に膜の破壊が生ずるのを防止することができる薄膜の製造方法およびそれを用いた薄膜素子の製造方法を提供する。【構成】多結晶Si薄膜形成用の非晶質Si薄膜6を、スパッタガスとしてHeガスを用いたスパッタリング法により形成した後、250〜400°Cで熱処理を行うことにより、成膜中に非晶質Si薄膜6中に入ったHeを外部に放出させる。この後、非晶質Si薄膜6にレーザービームを照射することにより結晶化を行い、多結晶Si薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

アルゴンより原子半径が小さい希ガス元素のガスをスパッタガスとして用いたスパッタリング法により低耐熱性の基板上に薄膜を形成する工程と、上記薄膜を上記基板の軟化温度より低い温度で熱処理する工程とを有することを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/203 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/268 , H01L 21/318 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/203 S , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/268 Z , H01L 21/318 B , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-177736
特開平3-231472
特開平4-177736

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