特許

J-GLOBAL ID：200903090601079210

半導体レーザ

発明者： 門脇 朋子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  石野 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-302709
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140141
出願日： 2002年10月17日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：

【課題】高歩留まりで、かつ温度特性に優れたリッジ導波型半導体レーザを再現性良く製造できるレーザ構造を提供する【解決手段】第1の材料を含む第1のクラッド層と、活性層と、第1の材料を含む第2のクラッド層と、第1の材料とは異なる第2の材料を含む、リッジ構造の第3のクラッド層とが順に積層されたリッジ導波型の半導体レーザを提供する。この半導体レーザは、半導体レーザチップのチップ分離位置において、第3のクラッド層側から積層された方向に沿って形成された溝が、第2のクラッド層に到達している。また、活性層と、活性層を挟む第1のクラッド層および第2のクラッド層と、第2のクラッド層に積層された、リッジ構造の第3のクラッド層と、第3のクラッド層と電気的に接続された電極とを備えたリッジ導波型の半導体レーザも提供する。このレーザの電極は、リッジ脇の溝の表面から離れた状態で上方を覆っている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の材料を含む第1のクラッド層と、 活性層と、 前記第1の材料を含む第2のクラッド層と、 前記第1の材料とは異なる第2の材料を含む、リッジ構造の第3のクラッド層と が順に積層されて構成されたリッジ導波型の半導体レーザであって、 該半導体レーザのチップ分離位置において、前記第3のクラッド層側から積層された方向に沿って形成された溝が、前記第2のクラッド層に到達している半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S5/042 ,  H01S5/227

FI (2件)：

H01S5/042 610 ,  H01S5/227

Fターム (20件)：

5F073AA13 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA02 ,  5F073CA15 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073DA27 ,  5F073DA30 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29 ,  5F073FA21 ,  5F073FA22