特許

J-GLOBAL ID：200903090603597278

光メモリ素子

発明者： 石原 啓
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-028686
公開番号（公開出願番号）：特開2003-228984
出願日： 2002年02月05日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】 再生光をコア層の情報領域の全域に同時に入射させることができるようにして、正確な再生像が得られるようにする。【解決手段】 コア層と、コア層の両面に積層されたクラッド層とを備え、コア層とクラッド層との界面の少なくとも一方に情報用凹凸部を有する光導波部材に、情報用凹凸部の情報を再生する再生光をコア層へ導入するための入射端面を形成してなる光メモリ素子を、コア層の情報用凹凸部が形成されている情報領域の入射端面での撓み量△tが、再生光の縦方向の幅をdとし、コア層の情報領域における厚さをtとして、式△t≦d-tによって表される条件を満たすように構成する。

請求項（抜粋）：

コア層と、前記コア層の両面に積層されたクラッド層とを備え、前記コア層と前記クラッド層との界面の少なくとも一方に情報用凹凸部を有する光導波部材に、前記情報用凹凸部の情報を再生する再生光を前記コア層へ導入するための入射端面を形成してなる光メモリ素子であって、前記コア層の前記情報用凹凸部が形成されている情報領域の前記入射端面での撓み量が、下記式によって表される条件を満たすことを特徴とする、光メモリ素子。△t≦d-t△t:コア層の情報領域の入射端面での撓み量d:再生光の縦方向の幅t:コア層の情報領域における厚さ

IPC (4件)：

G11C 13/04 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/13 ,  G11C 17/00 580

FI (4件)：

G11C 13/04 Z ,  G11C 17/00 580 D ,  G02B 6/12 Z ,  G02B 6/12 M

Fターム (8件)：

2H047KA02 ,  2H047KB08 ,  2H047QA05 ,  2H047RA00 ,  5B003AA09 ,  5B003AB01 ,  5B003AC07 ,  5B003AD01