特許

J-GLOBAL ID：200903090605778202

高強誘電体薄膜コンデンサを有する半導体装置及びその製造方法

発明者： 櫛田 惠子 ,  三木 浩史
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-291328
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126881
出願日： 1997年10月23日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】半導体能動素子の電気的性能の劣化を防止し、大容量で洩れ電流の小さいコンデンサを有する半導体を提供すること。【解決手段】高強誘電体109を有するコンデンサが配置された領域のコンデンサとメモリセルトランジスタ102の間に水素拡散阻止層107を配置した半導体装置。【効果】メモリセルトランジスタの特性を修復するために、水素アニールを行なうときに、コンデンサの特性の劣化がない。

請求項（抜粋）：

少なくとも2つの電極と、該2つの電極間に配置された高強誘電体薄膜とからなるコンデンサ及び半導体能動素子を有する半導体装置において、上記コンデンサが配置された領域の、上記コンデンサと上記半導体能動素子との間に水素拡散阻止作用を持つ層が配置されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/283 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/283 C ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 29/78 371