特許

J-GLOBAL ID：200903090607072080

多結晶Si膜の形成方法

発明者： 古茂田 学 ,  松村 英樹 ,  増田 淳
出願人/特許権者： 京セラ株式会社 ,  北陸先端科学技術大学院大学長
代理人 (1件)： 田原 勝彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-053312
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261020
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 膜密度が高くて耐酸化性に優れた高品質多結晶Si膜の形成プロセスを提供する。【解決手段】 所定の製膜ガス圧力下におかれた複数種の原料ガスと加熱触媒体との接触分解反応によって生成された化学的活性種を基板上に輸送することによって多結晶Si膜を製膜する多結晶Si膜の形成方法であって、上記製膜中に、上記原料ガスの混合比、加熱触媒体の温度、製膜ガス圧力、及び基板の温度のうちの少なくとも2種以上の製膜パラメータを変化させる。

請求項（抜粋）：

所定の製膜ガス圧力下におかれた複数種の原料ガスと加熱触媒体との接触分解反応によって生成された化学的活性種を基板上に輸送することによって多結晶Si膜を製膜する多結晶Si膜の形成方法において、前記製膜中に、前記原料ガスの混合比、加熱触媒体の温度、製膜ガス圧力、及び基板の温度のうちの少なくとも2種以上の製膜パラメータを変化させることを特徴とする多結晶Si膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04 X

Fターム (29件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030FA17 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA16 ,  5F045AA03 ,  5F045AB03 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE11 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045BB09 ,  5F045BB16 ,  5F045BB17 ,  5F045CA13 ,  5F045DP05 ,  5F045EE17 ,  5F045EK27 ,  5F051AA03 ,  5F051BA12 ,  5F051CB04 ,  5F051CB29