PZT薄膜の作製方法及びスパッタリング装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴木利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-281156
公開番号（公開出願番号）：特開平6-057412
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年03月01日
要約：

【要約】【目的】所定の組み合わせのターゲットを用いることによって、高基板温度で膜が化学量論組成比になるように、基板に入射する鉛の量を過剰に供給して、所定の組成と結晶構造のPZT薄膜を得る。【構成】 3個のPZTターゲット16、18、20に300Wの電力を投入し、1個のPbOターゲット22に0〜450Wの電力を投入して、基板ホルダー28を30rpmの速度で回転させながら、基板30上に膜を堆積させた。基板温度が700°C以上で、膜中でのPb/(Zr+Ti)比が1以上になるように鉛の基板入射原子束比を制御したときに、ペロブスカイト単相の薄膜が得られた。

請求項（抜粋）：

複数のターゲットをスパッタリングすることによって基板上にPZT薄膜を作製する方法において、次の特徴を備える方法。(イ)3個以上のターゲットを用いる。(ロ)各ターゲットは、鉛とチタンとジルコニウムの3元素のうちの少なくとも一つの酸化物である。(ハ)少なくとも一つのターゲットは他のターゲットとは組成が異なる。(ニ)薄膜の作製中は、基板を加熱しながら、基板が各ターゲットに順に対向するように基板を移動させる。

IPC (4件)：

C23C 14/08 , C23C 14/34 , H01B 3/00 , H01B 3/12 301

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭62-272402
特開昭62-272402
特開昭63-224187

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