特許

J-GLOBAL ID：200903090614364992

線量修正による電子ビームリソグラフィー用近接効果補償方法

発明者： ジョージ パトリック ワトソン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-151306
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055958
出願日： 1997年06月09日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 線量修正(ドース修正)による電子ビームリソグラフィー用近接効果補償(PEC)技術【解決手段】 本発明では、電子ビームリソグラフィーシステムでの近接効果を補償する方法が開示されている。電子ビーム感受性材料層に取り込まれるパターンフィーチャーにつき未補正線量プロファイルがまず得られる。その後、パターン像を電子ビーム感受性材料層へ取り込む入射線量は、パターンフィーチャーの各エッジに対するクリアリング線量を線量高さの関数として設定することで調整される。未補正線量プロファイルは、選択的には校正ステップからも得られる。各フィーチャーは、選択的には複数の部分形状に分割され、入射線量は各部分形状の各エッジに対するクリアリング線量を線量高さの関数として設定することで調整される。

請求項（抜粋）：

(A) 電子ビーム感応性レジスト材料を基板上に塗布するステップと、(B) パターンの像を前記電子ビーム感応性レジスト材料へ取り込むステップと、(C) 前記パターンにおけるフィーチャ(特徴)の各エッジに対応する線量高さ(ドース高さ)を決定するステップと、(D) 前記フィーチャの前記エッジの個々についてのクリアリング線量を前記線量高さの関数として決定するステップと、(E) 前記クリアリング線量を元に照射の入射線量(入射ドース)を決定するステップと、(F) 前記パターンの前記像を現像するステップとを有し、前記パターンの前記像を前記レジスト材料へ取り込むのに用いられた、照射の入射線量は、前記パターンについての露光線量プロファイルを得ることにより調整されることを特徴とする電子ビームリソグラフィーシステムにおける近接効果を補正する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 541 M ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521