特許

J-GLOBAL ID：200903090615773241

超電導装置およびその作製方法

発明者： 田中 聡 ,  飯山 道朝
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-188075
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013834
出願日： 1991年07月02日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【構成】 MgO基板4上に形成されたY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜1水蒸気雰囲気中で550 °Cに加熱して、表面に非晶質酸化物絶縁体層2を形成する。酸素雰囲気中で400 °Cに加熱してY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜1に酸素を取り込ませてから、非晶質酸化物絶縁体層2上に第2のY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜3を形成し、ジョセフソン素子とする。【効果】 非晶質酸化物絶縁体層2は、Y1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜1の表面が分解して生じたものであり、第1および第2のY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜1、3の超電導特性を劣化させない。また、非晶質酸化物絶縁体層2と、第1のY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜1との間の界面は極めてシャープに形成できる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された酸化物超電導薄膜と、この酸化物超電導薄膜上に積層された絶縁体薄膜とを有する超電導装置において、前記絶縁体薄膜が前記酸化物超電導薄膜を構成する酸化物超電導体と等しい構成元素を含む非晶質酸化物で構成されていることを特徴とする超電導装置。

IPC (2件)：

H01L 39/24 ZAA ,  H01L 39/02 ZAA

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-205579
  
• 特開平2-186681
  
• 特開平2-082586