特許
J-GLOBAL ID：200903090616664845

増感錯体、その製造方法、それを備えた無機/有機ハイブリッド型半導性材料、及び、該材料を備えた太陽電池

発明者：
ピエリック・ビュヴァ

ピエリック・ビュヴァ について

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ファブリス・オドベル

ファブリス・オドベル について

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コラリ・フアナール

コラリ・フアナール について

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エロール・ブラート

エロール・ブラート について


出願人/特許権者：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

コミツサリア タ レネルジー アトミーク について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-546489
公開番号（公開出願番号）：特表2009-520861
出願日： 2006年12月22日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：
化学式(I)の錯体であって -Fは半導性多孔質酸化セラミックの基板に化学的なグラフトを可能にする一つまたはそれ以上の基を表し、 -Sは半導性多孔質酸化セラミックに対する増感基を表し、 -Cは導電性ポリマーであり、 -Eは増感体Sを導電性ポリマーから電気的に絶縁することを可能にする非共役スペーサ基、であることを特徴とする錯体。 それらの製造方法。 化学式(I)の錯体が化学的にグラフトされる多孔質酸化セラミックの基板を備えるpn型半導体無機/有機ハイブリッド物質。 前記物質を備える光電池。
請求項（抜粋）：
化学式(I)の錯体であって
IPC (5件)：
C09B 57/10 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00 ,  C09K 3/00 ,  C08G 61/12
FI (5件)：
C09B57/10 ,  H01L31/04 Z ,  H01M14/00 P ,  C09K3/00 T ,  C08G61/12
Fターム (29件)：
4H050AA01 ,  4H050AB76 ,  4H050WB14 ,  4H050WB21 ,  4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA07 ,  4J032BA13 ,  4J032CB01 ,  4J032CG01 ,  5F051AA11 ,  5F051AA14 ,  5F051BA11 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051FA01 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F051KA09 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE04 ,  5H032EE08 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17 ,  5H032EE20
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 国際公開第93/19479号パンフレット
  • 欧州特許第1176646号明細書
  • 欧州特許出願第0917208号明細書
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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