特許
J-GLOBAL ID：200903090618144113
共振器ミラー形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-003689
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200176
出願日： 1997年01月13日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板を完全にへき開することなく、平行度、平滑度に優れた共振器ミラーを形成する。【解決手段】 GaAs基板1の表面に、[01バー1]方向にチップ分離領域4を形成した後、[01バー1]方向に隣接する1チップ3の境界付近に、500keV程度に加速した水素イオンを1016〜1017cm-2程度に注入することによりイオン注入領域7を形成する。次に、GaAs基板1に熱処理を施し、水素イオンの注入飛程付近に高密度のボイド11を形成する。次に、このボイド11を起点としてイオン注入領域7をGaAs基板1から剥離し、GaAs基板1の側壁部に共振器ミラー9を形成する。
請求項（抜粋）：
主面に第1、第2、第3の領域を有する半導体基板において、(a)前記第1の領域と前記第2の領域との境界である第1の境界、及び前記第2の領域と前記第3の領域との境界である第2の境界に、それぞれ所定の深さにイオンを注入する工程と、(b)前記半導体基板に熱処理を施すことにより、前記イオンが注入された領域にボイドを発生させる工程とを備え、前記第1の境界は、自身の下方に形成される第1のへき開面の法線方向と前記半導体基板の厚み方向との双方に垂直であり、前記第2の境界は、自身の下方に形成される第2のへき開面の法線方向と前記半導体基板の厚み方向との双方に垂直であり、前記第1のへき開面と前記第2のへき開面とは互いに平行であることを特徴とする共振器ミラー形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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