特許

J-GLOBAL ID：200903090620154703

炭素元素線状構造体を用いた電子デバイス及びその製造方法

発明者： 二瓶 瑞久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (5件)： 石田 敬 ,  吉田 維夫 ,  鶴田 準一 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-194898
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087510
出願日： 2002年07月03日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】直径の均一な炭素元素線状構造体を用いた電子デバイスとその製造方法を提供すること。【解決手段】導電性部材として金属シリサイドで作られた部材52、54を含み、且つ、当該導電性シリサイドで作られた部材52、54に接続した炭素元素線状構造体58を含む電子デバイスとする。この電子デバイスは、導電性部材としての金属シリサイド層52、54を形成する工程と、この金属シリサイド層からCVD法により炭素元素線状構造体58を成長させる工程を含む方法により製造される。金属シリサイド層52、54は、Ni、CoもしくはFe、又はそれらの合金のシリサイドとして形成される。好ましくは、炭素元素線状構造体はカーボンナノチューブである。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

半導体の電子又は正孔の移動による電気伝導を利用する電子デバイスであり、半導体部材、導電性部材及び絶縁性部材を含んでなる電子デバイスであって、導電性部材として金属シリサイドで作られた部材を含み、且つ、当該導電性シリサイドで作られた部材に接続した炭素元素線状構造体を含むことを特徴とする電子デバイス。

IPC (11件)：

H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C23C16/26 ,  H01J1/308 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

FI (14件)：

H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C23C16/26 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 301D ,  H01L21/28 301Z ,  H01L21/285 C ,  H01J1/30 S ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301Y ,  H01L29/78 301H ,  H01L21/88 M ,  H01L21/88 Q

Fターム (77件)：

4K030BA27 ,  4K030BB00 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030CA13 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB36 ,  4M104DD02 ,  4M104DD43 ,  4M104DD47 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104DD84 ,  4M104FF21 ,  4M104GG09 ,  5C135DD16 ,  5C135DD21 ,  5C135GG12 ,  5C135HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ00 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033PP02 ,  5F033PP07 ,  5F033PP12 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AD08 ,  5F045CB10 ,  5F045EH09 ,  5F140AB03 ,  5F140BA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BA04 ,  5F140BB18 ,  5F140BC11 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BG08 ,  5F140BG27 ,  5F140BG36 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ13 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK32 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03 ,  5F140CC09 ,  5F140CC13 ,  5F140CE02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 原位置微小相互接続回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-325116   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• カーボンナノチューブを用いた3極電界放出素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-001103   出願人：三星エスディアイ株式会社
• 集積回路内の半導体デバイスおよびその構成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-131296   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド