特許

J-GLOBAL ID：200903090620436563

AlGaInP系発光装置

発明者： 能登 宣彦 ,  安富 敬三 ,  竹中 卓夫
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-337921
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186290
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 長寿命且つ信頼性の高いAlGaInP系発光装置を提供する。【構成】 n型GaAs基板11上に、n型(Al0.7 Ga0.3 )0.51In0.49Pクラッド層12(厚さ約1μm)、(Al0.15Ga0.85)0.51In0.49P活性層13(厚さ約0.6μm)、p型(Al0.7 Ga0.3 )0.51In0.49Pクラッド層14(厚さ約1μm)及びp型電流拡散層15を構成するp型Al0.7 Ga0.3 As層15a(厚さ約3μm)、p型GaAs0.5 P0.5 層15b(厚さ約7μm)を順次積層形成し、前記p型GaAs0.5 P0.5 層15b上に上面電極16、n型GaAs基板の下面に下面電極17を設けて、発光装置10を構成する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、AlGaInPダブルヘテロ接合構造からなる発光層部及び該発光層部上に形成された電流拡散層を有するAlGaInP系発光装置において、前記電流拡散層が、前記発光層部の(Aly Ga1-y )0.51In0.49P活性層から放射される光子のエネルギーより大きい直接型バンドギャップ([数1])【数1】を有するAlw Ga1-w As層及び該Alw Ga1-w As層上に形成したGaAs1-v Pv 層の2層からなることを特徴とするAlGaInP系発光装置。