特許
J-GLOBAL ID：200903090625257373
反射防止膜及びこれを用いたレジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-217560
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069123
出願日： 1992年08月17日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 高反射率な下地上に所望のレジストパターンを形成出来る方法を提供する。【構成】 高反射率な下地としてのAl-Si合金薄膜上にカーボンの薄膜を反射防止膜として形成する。この反射防止膜上にレジスト層を形成する。その後、露光、現像を行なう。露光光がi線(波長365nmの光)の場合、カーボンの薄膜の膜厚を15nm〜30nmの範囲より好ましくは20nm程度とするのが良い。
請求項（抜粋）：
カーボン及びカーボンを含む材料から選ばれた少なくとも一種の材料で構成したことを特徴とする反射防止膜。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 503
