特許
J-GLOBAL ID:200903090632899895
強誘電体薄膜キャパシタおよびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-153197
公開番号(公開出願番号):特開平8-023073
出願日: 1994年07月05日
公開日(公表日): 1996年01月23日
要約:
【要約】【目的】 基板面内および基板間の電気的特性のばらつきがなく不揮発性半導体記憶回路に適用可能な強誘電体薄膜キャパシタおよびその製造方法を提供する。【構成】 主として<105>軸が厚さ方向に配向したSrBi<SB>2 </SB>(Ta<SB>x </SB>Nb<SB>1-x </SB>)<SB>2 </SB>O<SB>9 </SB>(x=0〜1)の薄膜および該薄膜を挟む一対の電極9,11からなることを特徴とする薄膜キャパシタである。この薄膜10は、下部電極9上にストロンチウム,ビスマス,タンタル,ニオブのアルコキシドまたは有機金属塩を原料とした溶液を塗布後乾燥し、乾燥後の膜厚が20〜80nmの範囲で600〜850°Cで結晶化させることを繰り返すことで形成する。
請求項(抜粋):
主として<105>軸が厚さ方向に配向したSrBi<SB>2 </SB>(Ta<SB>x </SB>Nb<SB>1-x </SB>)<SB>2</SB>O<SB>9 </SB>(x=0〜1)の薄膜および該薄膜を挟む一対の電極からなることを特徴とする薄膜キャパシタ。
IPC (5件):
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
, H01L 27/10 451
FI (2件):
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 325 J
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