特許

J-GLOBAL ID：200903090634069490

フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、及び、半導体素子

発明者： 李 根守 ,  高 次元 ,  鄭 載昌 ,  鄭 ▲みん▼鎬 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-295656
公開番号（公開出願番号）：特開2000-122290
出願日： 1999年10月18日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】本発明は前記した問題点を解決するためのものであり、優れたエッチング耐性、接着性及び感度を有するとともに、低い生産単価で大量生産が可能な新規のフォトレジスト単量体及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 下記式(1)で示される単量体、及び、これを含むフォトレジスト共重合体が開示される。【化1】前記式で、X1及びX2はそれぞれ、CH2、CH2CH2、OまたはSであり、YはCH2またはOであり、R1はHまたはCH3であり、R'及びR''はそれぞれ、炭素数0乃至3の、置換された、或いは非置換のアルキル基であり、iは0乃至3の整数である。

請求項（抜粋）：

下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト単量体。【化1】(前記式で、X1及びX2はそれぞれCH2、CH2CH2、OまたはSであり、YはCH2またはOであり、R1はHまたはCH3であり、R'及びR''はそれぞれ、炭素数0乃至3の、置換された、或いは非置換のアルキル基であり、iは0乃至3の整数である。)

IPC (4件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F222/06 ,  C08F232/02 ,  C08L 45/00

FI (4件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F222/06 ,  C08F232/02 ,  C08L 45/00