特許

J-GLOBAL ID：200903090634383403

半導体装置及びその製造方法

発明者： 松岡 敬
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-280765
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135210
出願日： 1993年11月10日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】 1回の電解メッキ処理によりエアーブリッジ配線とその近傍に位置するバイアホール配線とを同時に形成することができ、製造プロセスを大幅に簡略化することができる半導体装置の製造方法を得る。【構成】 エアーブリッジ配線用パターンを有する第1のレジスト膜117を形成した後、全面に第1の給電層13を形成し、バイアホール用パターンを有する第2のレジスト膜118をマスクとして上記第1の給電層13及び基板1をエッチングしてバイアホール212aを形成し、その後第2の給電層23を形成し、さらに所定のパターンを有する第3のレジスト膜119をマスクとして電解メッキを行って、エアーブリッジ配線及びバイアホール内の配線を一体形成する。

請求項（抜粋）：

その表面上に形成された複数の下層電極、及びその裏面側に形成された裏面電極を有する半導体基板と、上記半導体基板上に形成され、上記複数の下層電極のうちの所定の下層電極間を接続するエアーブリッジ配線と、上記半導体基板を貫通する、上記所定の下層電極近傍に位置するバイアホール内に形成され、上記所定の下層電極を上記裏面電極に接続するバイアホール配線とを備え、上記エアーブリッジ配線及びバイアホール配線は、電解メッキ金属膜により一体に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 W ,  H01L 21/90 N