特許
J-GLOBAL ID：200903090636082788
電磁界特性解析方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
草野 卓
, 稲垣 稔
, 横田 芳信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-028581
公開番号（公開出願番号）：特開2004-239736
出願日： 2003年02月05日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：
【課題】複雑な構造の高周波機器をより精度高く、且つ、少ないメモリ容量、短い計算時間で解析することができる電磁界特性解析方法を提供する。【解決手段】FDTD法により電磁界特性をシミュレーションする電磁界特性解析方法において、不等間隔メッシュを用いて解析空間を構成し、解析空間の吸収境界条件としてUPMLを用い、吸収境界におけるメッシュ間隔を異にする一方のメッシュ領域の磁界と他方のメッシュ領域の磁界を用いてこれら両磁界の間に補間して仮想磁界成分を得、この仮想磁界成分を用いて解析を進める電磁界特性解析方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
FDTD法により電磁界特性をシミュレーションする電磁界特性解析方法において、
不等間隔メッシュを用いて解析空間を構成し、解析空間の吸収境界条件としてUPMLを用いることを特徴とする電磁界特性解析方法。
IPC (3件)：
G01R29/08
, G06F17/13
, G06F17/50
G01R29/08 Z
, G06F17/13
, G06F17/50 612H
, G06F17/50 680Z
5B046AA07
, 5B046JA10
, 5B056BB03
, 5B056BB22
, 5B056HH07
