特許
J-GLOBAL ID：200903090641082311
集積型薄膜太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-015737
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210851
出願日： 2000年01月25日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 上部電極層の分離加工を高歩留りで高速に行う。【解決手段】 レーザ・スクライブ法によって下部電極層12に分割溝14を形成して絶縁分割する際に、上部電極層19を絶縁分離する位置の直下に矩形溝15を形成して、周辺と電気的に絶縁された矩形の絶縁分離領域を形成する。そして、上記絶縁分離領域の幅方向中間部において、レーザ光によって上部電極層19,光電変換層16および下部電極層12を一括して除去して、上部電極層19を絶縁分離する分離溝21を形成する。このように、分離溝21を上記絶縁分離領域内に形成することによって、光電変換層16における発電領域として機能する部分にダメージを与えることはない。したがって、従来のごとく光電変換層16や下部電極層12を損傷しないように慎重にレーザ光を操作する必要もなく、高歩留りで高速な加工を行うことができる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に順次積層された下部電極層,光電変換層および上部電極層をパターニング加工して形成された複数の発電領域が、上記基板上において直列に接続されて成る集積型薄膜太陽電池において、互いに隣接する発電領域間で上記上部電極層を電気的に分離するパターニングラインの直下における上記下部電極層の部分に、周囲の下部電極層とは電気的に分離された絶縁分離領域を設けたことを特徴とする集積型薄膜太陽電池。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 R
, H01L 31/04 V
5F051EA01
, 5F051EA02
, 5F051EA09
, 5F051EA10
, 5F051EA11
, 5F051EA16
