特許

J-GLOBAL ID：200903090641856848

絶縁膜の形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 毅
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-193560
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024066
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】トランジスタの閾値に影響を与えず、かつ、レジストマスクの使用回数を削減して、高品質、簡便かつ歩留り良く、2種類以上の膜厚を有する絶縁膜を同一基板上に形成する絶縁膜の形成方法、及び該絶縁膜の形成方法を適用した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板表面部の基板材料を酸化することによって前記基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記基板の相対的に薄い膜厚の絶縁膜を形成する第1基板領域の表面部に、前記第1の絶縁膜を通して所定量の第1の不純物を導入する工程と、前記第1基板領域上の前記第1の絶縁膜を除去する工程と、前記基板材料を酸化することによって前記第1基板領域上に第2の絶縁膜と、前記基板の相対的に厚い膜厚の絶縁膜を形成する第2基板領域の前記第1の絶縁膜を厚膜化する工程とを有する絶縁膜の形成方法、及び該絶縁膜の形成方法を適用する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板表面部の基板材料を複数回酸化することによって、同一基板の所定領域上に、2種類以上の異なる膜厚の絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法であって、前記基板表面部の基板材料を酸化することによって、前記基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記基板の相対的に薄い膜厚の絶縁膜を形成する第1基板領域の表面部に、前記第1の絶縁膜を通して所定量の第1の不純物を導入する工程と、前記第1基板領域上の前記第1の絶縁膜を除去する工程と、前記基板材料を酸化することによって、前記第1基板領域上に第2の絶縁膜を形成し、及び前記基板の相対的に厚い膜厚の絶縁膜を形成する第2基板領域の前記第1の絶縁膜を厚膜化する工程を有する、絶縁膜の形成方法。

IPC (8件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 27/08 321 D ,  H01L 21/316 S ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 27/10 671 Z

Fターム (31件)：

5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AB01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB16 ,  5F048BB18 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BE03 ,  5F058BE07 ,  5F058BE10 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD01 ,  5F083GA27 ,  5F083GA28 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083PR05 ,  5F083PR12 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083ZA12