特許

J-GLOBAL ID：200903090651340920

半導体処理液用冷却加熱装置

発明者： 森 勇鋼 ,  木村 諦四
出願人/特許権者： 小松エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-032059
公開番号（公開出願番号）：特開平9-229587
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【目的】 安価で、気密性が高く、有害不純物成分を含まずまたパーティクルを生じることなく、信頼性の高い半導体処理液用冷却加熱装置を提供する。【構成】 本発明の第1の特徴は、熱交換基板が、少なくとも処理液接触面側をアモルファスカーボン層で被覆してなるグラファイト基材で構成されていることにある。

請求項（抜粋）：

熱交換基板に半導体処理液を接触せしめて冷却または加熱するように構成された半導体処理液用冷却加熱装置において、前記熱交換基板が、少なくとも処理液接触面側をアモルファスカーボン層で被覆してなるグラファイト基材で構成されていることを特徴とする半導体処理液用冷却加熱装置。

IPC (3件)：

F28F 19/04 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

F28F 19/04 A ,  H01L 21/304 341 Z ,  H01L 21/306 J