特許
J-GLOBAL ID：200903090651472568
希土類鉄ガーネット単結晶膜の処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-161252
公開番号（公開出願番号）：特開平8-026900
出願日： 1994年07月13日
公開日（公表日）： 1996年01月30日
要約：
【要約】【目的】 飽和磁界が非常に低いにも係わらず、磁気ヒステリシスが大きいため光スイッチや磁界センサ用ファラデー回転子としての利用が困難であった希土類鉄ガーネット単結晶膜の磁気ヒステリシスを解消する方法を提供する。【構成】 希土類鉄ガーネット単結晶膜の異なった2箇所を互いに反対方向の磁界により予め磁化する。【効果】 飽和磁界が非常に低いにも係わらず、磁気ヒステリシスが大きいため光スイッチや磁界センサ用ファラデー回転子としての利用が困難であった希土類鉄ガーネット単結晶膜の磁気ヒステリシスを改善することができ、その結果、ファラデー効果を利用した光スイッチや、磁界センサ用のファラデー回転子として低飽和磁界希土類鉄ガーネット単結晶の応用が可能となった。
請求項（抜粋）：
希土類鉄ガーネット単結晶膜に対して、希土類鉄ガーネット単結晶膜の飽和磁界と比較して2倍から20倍程度の大きな磁界であらかじめ着磁、そして脱磁することを特徴とする希土類ガーネット単結晶の処理方法。
IPC (3件)：
C30B 33/04
, C30B 29/28
, G02F 1/09 501
